Halbleitertechnologie von A bis Z
ca. 1.6 MB, 153 Seiten
Grundlagen
- ca. 488 KB
- Komplett
- ca. 135 KB
- Der Atombau
- ca. 126 KB
- Das Periodensystem der Elemente
- ca. 90 KB
- Chemische Bindungen
- ca. 59 KB
- Edelgase
- ca. 154 KB
- Leiter - Nichtleiter - Halbleiter
- ca. 108 KB
- Dotieren - n- und p-Halbleiter
- ca. 92 KB
- Der p-n-Übergang
- ca. 184 KB
- Aufbau eines n-Kanal-FET
- ca. 162 KB
- Aufbau eines Bipolartransistors
- ca. 130 KB
- Aufbau eines FinFET
Waferherstellung
- ca. 260 KB
- Komplett
- ca. 71 KB
- Silicium
- ca. 98 KB
- Herstellung des Rohsiliciums
- ca. 117 KB
- Herstellung des Einkristalls
- ca. 137 KB
- Entstehung der Wafer
- ca. 158 KB
- Dotiertechniken
Oxidation
- ca. 477 KB
- Komplett
- ca. 87 KB
- Übersicht
- ca. 191 KB
- Erzeugung von Oxidschichten
- ca. 103 KB
- Die LOCOS-Technik
- ca. 313 KB
- Schichtdickenmessung
Abscheidung
- ca. 262 KB
- Komplett
- ca. 111 KB
- Plasma - der 4. Aggregatzustand
- ca. 200 KB
- CVD-Verfahren
- ca. 128 KB
- PVD-Verfahren
Metallisierung
- ca. 292 KB
- Komplett
- ca. 65 KB
- Anforderungen an die Metallisierung
- ca. 125 KB
- Aluminiumtechnologie
- ca. 166 KB
- Kupfertechnologie
- ca. 138 KB
- Der Metall-Halbleiter-Kontakt
- ca. 118 KB
- Mehrlagenverdrahtung
Lithografie
- ca. 364 KB
- Komplett
- ca. 114 KB
- Belichten und Belacken
- ca. 185 KB
- Belichtungsverfahren
- ca. 86 KB
- Der Fotolack
- ca. 107 KB
- Entwickeln und Kontrolle
- ca. 134 KB
- Maskentechnik
Nasschemie
- ca. 188 KB
- Komplett
- ca. 89 KB
- Ätztechnik allgemein
- ca. 116 KB
- Nassätzen
- ca. 122 KB
- Scheibenreinigung
Trockenätzen
- ca. 205 KB
- Komplett
- ca. 96 KB
- Übersicht
- ca. 177 KB
- Trockenaetzen - Trockenaetzverfahren