Halbleitertechnologie von A bis Z

Alles über Halbleiter und die Waferfertigung

10 µm → 2 nm

10 µm 3 µm 1,5 µm 1 µm 800 nm 600 nm 350 nm 250 nm 180 nm 130 nm 90 nm 65 nm 45 nm 32 nm 22 nm 16 nm 11 nm 7 nm 5 nm 3 nm 2 nm

7 nm

Die 7-nm-Klasse markiert den Übergang zur EUV-Lithografie in der Serienfertigung. TSMC brachte die erste Generation (N7) 2018 noch klassisch mit 193-nm-Immersionslithografie und Multi-Patterning in Produktion – unter anderem für Apples A12 Bionic, Huaweis Kirin 980 und Qualcomms Snapdragon 855. Samsung zog im Oktober 2018 mit dem ersten EUV-basierten Serienprozess der Branche überhaupt nach (7LPP), noch vor TSMCs eigener EUV-Variante N7+, die 2019 folgte.

Die im ursprünglichen Artikel erwarteten frühen IBM-Demonstratoren auf Silicium-Germanium-Basis blieben Forschungsprojekte; die tatsächliche Serienfertigung basierte durchgehend auf klassischem Silicium mit FinFET-Transistoren.

Serienfertigung

2018 startete TSMC die Serienfertigung von N7 (193-nm-Immersion, Multi-Patterning), unter anderem für Apples A12 Bionic.

Im Oktober 2018 begann Samsung mit 7LPP die branchenweit erste Serienfertigung mit EUV-Lithografie.

2019 folgte TSMCs eigene EUV-Variante N7+.

Die 7-nm-Fertigung wurde zur wichtigsten Grundlage für High-End-Smartphone-Prozessoren der Jahre 2018 bis 2020.