11 nm
Was die ITRS 2007 noch als „11-nm-Technologie“ für das Jahr 2022 vorhersagte, kam anders und vor allem früher: Als „10-nm-Klasse“ bezeichnet man heute die Fertigungsgeneration, die Samsung im Herbst 2016 als erster Hersteller in Serie brachte, gefolgt von TSMC 2017. Beide setzten dabei weiterhin auf klassische FinFET-Transistoren und Immersionslithografie mit Multi-Patterning – EUV-Lithografie war zu diesem Zeitpunkt noch nicht serienreif.
Intel geriet bei diesem Knoten in erhebliche Schwierigkeiten: Der eigene 10-nm-Prozess, ursprünglich für 2015/2016 geplant, verzögerte sich um mehrere Jahre und erreichte erst 2019 mit den Ice-Lake-Prozessoren nennenswerte Stückzahlen. 2021 benannte Intel diesen Prozess im Zuge einer neuen Namensstrategie schließlich in „Intel 7“ um, da die Transistordichte eher der 7-nm-Klasse der Konkurrenz entsprach als der eigenen 10-nm-Bezeichnung – ein frühes Beispiel dafür, wie wenig die Knotennamen der Hersteller inzwischen noch mit einer tatsächlichen physikalischen Größe zu tun haben.
Die früher befürchteten fundamentalen Grenzen – Tunneleffekte durch atomar dünne Gateoxide, der Zwang zu exotischen III-V-Halbleitern oder Kohlenstoffnanoröhren anstelle von Silicium – traten in dieser Form nicht ein. Verbesserte Gatearchitekturen und High-k-Dielektrika reichten aus, um weiterhin auf klassischem Silicium aufzubauen.
Serienfertigung
Im Oktober 2016 brachte Samsung mit dem Exynos 8895 den ersten Chip in 10-nm-FinFET-Fertigung auf den Markt.
2017 folgte TSMC mit eigener 10-nm-Fertigung, unter anderem für Apples A10X.
2019 erreichte Intels eigener 10-nm-Prozess mit den Ice-Lake-Prozessoren erstmals nennenswerte Stückzahlen – mehrere Jahre später als ursprünglich geplant.
2021 benannte Intel diesen Prozess in „Intel 7“ um.