10 µm
Der 10-µm-Prozess bezieht sich auf die Fertigungstechnologie, die ab 1971 bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kam. Er markiert den Beginn der Mikroprozessorfertigung: die Strukturen waren noch so groß, dass sie mit einem einfachen Lichtmikroskop bequem zu sehen sind.
Gefertigt wurde in PMOS-Technik mit Aluminium-Gate. Das Gate wurde nach den Source- und Drain-Gebieten aufgebracht und musste diese zur Sicherheit deutlich überlappen, weil die Masken nicht genauer zueinander ausgerichtet werden konnten. Diese Überlappung erzeugt eine große parasitäre Kapazität und begrenzte die Schaltgeschwindigkeit erheblich.
Belichtet wurde mit der g-Linie der Quecksilberdampflampe bei 435,83 nm, und zwar im Kontakt- oder Abstandsverfahren: die Maske lag direkt auf dem Wafer beziehungsweise knapp darüber. Das ist optisch einfach, verschleißt aber Maske und Wafer und begrenzt die Ausbeute. Die Scheiben hatten typisch 2 Zoll Durchmesser, verdrahtet wurde in einer einzigen Metallebene.
Prozessoren in 10 µm (Auswahl):
- Intel 4004 (1971), 2300 Transistoren
- Intel 8008 (1972)