Halbleitertechnologie von A bis Z

Alles über Halbleiter und die Waferfertigung

350 nm (0,35 µm)

Der 350-nm-Prozess bezieht sich auf die Fertigungstechnologie, die ab 1995 bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kam. Hier endet die Ära der Quecksilberdampflampe.

Die i-Linie bei 365,01 nm lässt sich für Strukturen dieser Größe nicht mehr wirtschaftlich ausreizen. Für die kritischen Ebenen kommen deshalb Excimerlaser zum Einsatz, zunächst Krypton-Fluorid mit 248 nm. Das erzwingt einen kompletten Wechsel des Lacksystems: die klassischen Novolack-Lacke absorbieren im tiefen Ultraviolett zu stark. An ihre Stelle treten chemisch verstärkte Lacke, in denen die Belichtung nur eine Säure freisetzt, die anschließend in einem katalytischen Schritt viele Bindungen aufbricht. Damit genügt eine kleine Lichtmenge — der Lack reagiert aber auch empfindlich auf Verzögerungen zwischen Belichten und Ausbacken sowie auf basische Spuren in der Reinraumluft.

Gleichzeitig beginnt LOCOS an seine Grenze zu kommen. Das Trennoxid wächst seitlich unter die Nitridmaske und bildet dort den sogenannten Vogelschnabel, der Fläche verbraucht, die sich nicht mitverkleinern lässt. Ersetzt wird es durch die Grabenisolation: ein schmaler Graben wird geätzt, mit Oxid gefüllt und per CMP eben abgetragen. Sie braucht kaum mehr Platz als ihre Sollbreite.

Prozessoren in 350 nm (Auswahl):
  • Intel Pentium Pro (1996, spätere Ausführungen)
  • Intel Pentium MMX (1997)
  • AMD K6 (1997)