800 nm (0,8 µm)
Der 800-nm-Prozess bezieht sich auf die Fertigungstechnologie, die ab dem Ende der 1980er Jahre bei den führenden Halbleiterherstellern zum Einsatz kam. Die Schwierigkeiten verlagern sich hier vom Transistor zur Verdrahtung.
Mit schrumpfenden Leiterbahnen steigt deren Bahnwiderstand, und Polysilicium ist als Gate-Material schlicht zu schlecht leitend. Die Lösung sind Silicide: auf Gate sowie Source- und Drain-Gebiete wird ein Metall — meist Titan — aufgebracht und so getempert, dass es nur dort, wo es Silicium berührt, zu Titansilicid reagiert. Über dem Trennoxid bleibt es unreagiert und wird weggeätzt. Weil derselbe Schritt Gate und Kontaktgebiete gleichzeitig belegt und sich dabei selbst ausrichtet, heißt das Verfahren Salicide.
Auch die Kontaktlöcher zur ersten Metallebene lassen sich nicht mehr durch Aufsputtern von Aluminium füllen. Ihr Verhältnis von Tiefe zu Durchmesser ist inzwischen so groß, dass gesputtertes Metall die Öffnung oben zuwächst, bevor der Boden bedeckt ist. Stattdessen wird Wolfram aus der Gasphase abgeschieden, das die Löcher konform von innen auffüllt, und der Überstand anschließend zurückgeätzt. Die Zahl der Metallebenen steigt auf drei.
Prozessoren in 800 nm (Auswahl):
- Intel 486DX2 (1992)
- Intel Pentium (1993)
- AMD Am486 (1993)